Силиконска-на-изолаторска подлога SOI обланда во три слоја за микроелектроника и радиофреквенција

Силиконска-на-изолаторска подлога SOI обланда со три слоја за микроелектроника и избрана слика со радио фреквенција

Краток опис:

SOI целосно име Силикон на изолатор, е значењето на силициум транзистор структура на врвот на изолатор, принципот е помеѓу силициум транзистор, додадете изолатор материјал, може да се направи паразитски капацитет помеѓу двете од оригиналот помалку од двојно.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Воведување на кутија за нафора

Ви ја претставуваме нашата напредна нафора со силикон-на-изолатор (SOI), прецизно дизајнирана со три различни слоеви, револуционизирајќи ги апликациите во микроелектрониката и радиофреквенцијата (RF).Оваа иновативна подлога комбинира горен силиконски слој, изолациски оксиден слој и долна силиконска подлога за да обезбеди неспоредливи перформанси и разновидност.

Дизајниран за потребите на модерната микроелектроника, нашата SOI нафора обезбедува цврста основа за производство на сложени интегрирани кола (ICs) со супериорна брзина, енергетска ефикасност и доверливост.Горниот силиконски слој овозможува беспрекорна интеграција на сложени електронски компоненти, додека изолациониот оксиден слој ја минимизира паразитската капацитивност, подобрувајќи ги севкупните перформанси на уредот.

Во доменот на RF апликациите, нашата SOI нафора се истакнува со својата мала паразитска капацитивност, високиот пробивен напон и одличните изолациони својства.Идеален за RF прекинувачи, засилувачи, филтри и други RF компоненти, оваа подлога обезбедува оптимални перформанси во системи за безжична комуникација, радарски системи и многу повеќе.

Покрај тоа, вродената толеранција на радијација на нашата SOI нафора го прави идеален за воздушни и одбранбени апликации, каде што доверливоста во сурови средини е критична.Неговата робусна конструкција и исклучителните карактеристики на изведбата гарантираат доследна работа дури и во екстремни услови.

Клучни карактеристики:

Трислојна архитектура: Горен силиконски слој, изолациски оксиден слој и долна силиконска подлога.

Супериорни перформанси на микроелектрониката: Овозможува производство на напредни ИЦ со зголемена брзина и енергетска ефикасност.

Одлични RF перформанси: низок паразитски капацитет, висок пробивен напон и супериорни својства на изолација за RF уреди.

Доверливост во воздухопловна класа: Вродената толеранција на зрачење обезбедува сигурност во сурови средини.

Разновидни апликации: Погоден за широк спектар на индустрии, вклучувајќи телекомуникациски, воздушни, одбрана и многу повеќе.

Искусете ја следната генерација на микроелектроника и RF технологија со нашата напредна нафора со силикон-на-изолатор (SOI).Отклучете нови можности за иновации и поттикнете го напредокот во вашите апликации со нашето најсовремено решение за подлогата.