Во последниве години, со континуирано навлегување на низводните апликации како што се нови енергетски возила, фотоволтаично производство на енергија и складирање енергија, SiC, како нов полупроводнички материјал, игра важна улога на овие полиња.Според Извештајот за пазарот на Power SiC на Yole Intelligence објавен во 2023 година, се предвидува дека до 2028 година, големината на глобалниот пазар на моќните уреди SiC ќе достигне скоро 9 милијарди долари, што претставува раст од приближно 31% во споредба со 2022 година. Целокупната пазарна големина на SiC полупроводниците покажуваат постојан тренд на проширување.
Меѓу бројните пазарни апликации, доминираат нови енергетски возила со 70% пазарен удел.Во моментов, Кина стана најголем светски производител, потрошувач и извозник на нови енергетски возила.Според „Nikkei Asian Review“, во 2023 година, управуван од нови енергетски возила, кинескиот извоз на автомобили ја надмина Јапонија за прв пат, со што Кина стана најголем извозник на автомобили во светот.
Соочена со зголемената побарувачка на пазарот, кинеската SiC индустрија воведува критична можност за развој.
Од објавувањето на „Тринаесеттиот петгодишен план“ за национални иновации во науката и технологијата од страна на Државниот совет во јули 2016 година, развојот на полупроводнички чипови од третата генерација доби големо внимание од владата и доби позитивни одговори и голема поддршка во различни региони.До август 2021 година, Министерството за индустрија и информатичка технологија (MIIT) дополнително ги вклучи полупроводниците од третата генерација во „Четиринаесеттиот петгодишен план“ за развој на иновации во индустриската наука и технологија, вбризгувајќи дополнителен импулс во растот на домашниот пазар на SiC.
Поттикнати и од побарувачката на пазарот и од политиките, домашните проекти од индустријата за SiC брзо се појавуваат како печурки после дожд, што претставува ситуација на широко распространет развој.Според нашата нецелосна статистика, до сега, градежни проекти поврзани со SiC се распоредени во најмалку 17 градови.Меѓу нив, Џиангсу, Шангај, Шандонг, Жеџијанг, Гуангдонг, Хунан, Фуџијан и други региони станаа важни центри за развој на индустријата SiC.Особено, со новиот проект на ReTopTech пуштен во производство, тој дополнително ќе го зајакне целиот домашен синџир на индустријата за полупроводници од трета генерација, особено во Гуангдонг.
Следниот распоред за ReTopTech е 8-инчниот SiC подлога.Иако 6-инчните SiC подлоги моментално доминираат на пазарот, трендот на развој на индустријата постепено се менува кон подлоги од 8 инчи поради размислувањата за намалување на трошоците.Според предвидувањата на GTAT, цената на 8-инчните подлоги се очекува да се намали за 20% до 35% во споредба со 6-инчните подлоги.Во моментов, добро познатите производители на SiC како што се Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun и Xilinx Integration, домашни и меѓународни, почнаа постепено да преминуваат на 8-инчни подлоги.
Во овој контекст, ReTopTech планира во иднина да основа Центар за истражување и развој на технологијата за развој и развој на кристали со големи димензии.Компанијата ќе соработува со локални клучни лаборатории за да се вклучи во соработка во делење инструменти и опрема и истражување на материјали.Дополнително, ReTopTech планира да ја зајакне иновациската соработка во технологијата за обработка на кристали со големите производители на опрема и да се вклучи во заеднички иновации со водечките претпријатија низводно во истражување и развој на автомобилски уреди и модули.Овие мерки имаат за цел да го подобрат нивото на технологија за производство на истражување и развој и индустријализација во Кина на полето на платформи со подлога од 8 инчи.
Полупроводникот од третата генерација, со SiC како негов примарен претставник, е универзално признат како едно од најперспективните подполиња во целата индустрија за полупроводници.Кина поседува целосна предност во индустрискиот синџир во третата генерација полупроводници, покривајќи опрема, материјали, производство и апликации, со потенцијал да воспостави глобална конкурентност.
Време на објавување: април-08-2024 година