На 26-ти, Power Cube Semi го објави успешниот развој на првиот јужнокорејски 2300V SiC (Силициум карбид) MOSFET полупроводник.
Во споредба со постоечките полупроводници базирани на Si (силикон), SiC (Силициум карбид) може да издржи повисоки напони, па оттука е поздравен како уред од следната генерација што ја води иднината на енергетските полупроводници.Служи како клучна компонента потребна за воведување на најсовремени технологии, како што е ширењето на електричните возила и проширувањето на центрите за податоци управувани од вештачката интелигенција.
Power Cube Semi е фаблесна компанија која развива енергетски полупроводнички уреди во три главни категории: SiC (Силициум карбид), Si (Силициум) и Ga2O3 (Галиум оксид).Неодамна, компанијата аплицираше и продаде Schottky Barrier Diodes (SBD) со висок капацитет на глобална компанија за електрични возила во Кина, стекнувајќи признание за својот полупроводнички дизајн и технологија.
Издавањето на 2300V SiC MOSFET е забележливо како прв ваков развојен случај во Јужна Кореја.Инфинеон, глобална компанија за енергетски полупроводници со седиште во Германија, исто така го најави лансирањето на својот производ од 2000V во март, но без гама на производи од 2300V.
2000V CoolSiC MOSFET на Infineon, кој го користи пакетот TO-247PLUS-4-HCC, ја задоволува побарувачката за зголемена густина на моќност кај дизајнерите, обезбедувајќи сигурност на системот дури и при строги услови на висок напон и фреквенција на префрлување.
CoolSiC MOSFET нуди повисок напон на врската со директна струја, овозможувајќи зголемување на моќноста без зголемување на струјата.Тоа е првиот дискретен уред од силициум карбид на пазарот со пробивен напон од 2000V, кој го користи пакетот TO-247PLUS-4-HCC со растојание на лазање од 14mm и клиренс од 5,4mm.Овие уреди се карактеризираат со мали загуби при префрлување и се погодни за апликации како што се инвертори на соларни жици, системи за складирање енергија и полнење на електрични возила.
Серијата производи CoolSiC MOSFET 2000V е погодна за високонапонски DC магистрални системи до 1500V DC.Во споредба со 1700V SiC MOSFET, овој уред обезбедува доволна маргина на пренапон за 1500V DC системи.CoolSiC MOSFET нуди праг напон од 4,5 V и е опремен со робусни диоди на телото за тешко менување.Со технологијата за поврзување .XT, овие компоненти нудат одлични термички перформанси и силна отпорност на влажност.
Покрај 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon наскоро ќе лансира дополнителни CoolSiC диоди спакувани во пакувања TO-247PLUS 4-пински и TO-247-2 во третиот квартал од 2024 година и последниот квартал од 2024 година, соодветно.Овие диоди се особено погодни за соларни апликации.Достапни се и соодветни комбинации на производи за двигател на портата.
Серијата производи CoolSiC MOSFET 2000V сега е достапна на пазарот.Понатаму, Infineon нуди соодветни табли за оценување: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Програмерите може да ја користат оваа плочка како прецизна општа платформа за тестирање за да ги оценат сите CoolSiC MOSFET-ови и диоди оценети на 2000V, како и компактниот двигател на едноканална изолациона порта EiceDRIVER 1ED31xx серија производи преку двојна пулсна или континуирана работа PWM.
Гунг Шин-Со, главен директор за технологија на Power Cube Semi, изјави: „Можевме да го прошириме нашето постоечко искуство во развојот и масовното производство на 1700V SiC MOSFET на 2300V.
Време на објавување: април-08-2024 година