6 инчен GaN-On-Sapphire
150mm 6-инчен GaN на силикон/сафир/SiC епислојна нафора Галиум нитрид епитаксијален нафора
6-инчната обланда за подлога од сафир е висококвалитетен полупроводнички материјал кој се состои од слоеви на галиум нитрид (GaN) израснат на подлога од сафир.Материјалот има одлични својства за електронски транспорт и е идеален за производство на полупроводнички уреди со висока моќност и висока фреквенција.
Метод на производство: Процесот на производство вклучува растење на слоеви GaN на подлога од сафир со користење на напредни техники како што се метално-органско хемиско таложење на пареа (MOCVD) или епитаксија на молекуларни зраци (MBE).Процесот на таложење се изведува под контролирани услови за да се обезбеди висок квалитет на кристалот и униформа филм.
6-инчни GaN-On-Sapphire апликации: 6-инчните чипови со подлога од сафир се широко користени во микробранови комуникации, радарски системи, безжична технологија и оптоелектроника.
Некои вообичаени апликации вклучуваат
1. Rf засилувач на моќност
2. Индустријата за LED осветлување
3. Опрема за безжична мрежна комуникација
4. Електронски уреди во висока температура средина
5. Оптоелектронски уреди
Спецификации на производот
- Големина: Дијаметарот на подлогата е 6 инчи (околу 150 mm).
- Квалитет на површината: Површината е фино полирана за да се обезбеди одличен квалитет на огледалото.
- Дебелина: Дебелината на слојот GaN може да се прилагоди според специфичните барања.
- Пакување: Подлогата е внимателно спакувана со антистатички материјали за да се спречи оштетување при транспорт.
- Рабови за позиционирање: Подлогата има специфични рабови за позиционирање кои го олеснуваат усогласувањето и работата за време на подготовката на уредот.
- Други параметри: Специфичните параметри како тенкост, отпорност и концентрација на допинг може да се прилагодат според барањата на клиентите.
Со нивните супериорни својства на материјалот и разновидните примени, 6-инчните наполитанки од подлогата од сафир се сигурен избор за развој на полупроводнички уреди со високи перформанси во различни индустрии.
| Подлога | 6" 1mm <111> p-тип Si | 6" 1mm <111> p-тип Si |
| Епи Дебела Авг | ~ 5 мм | ~ 7 мм |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Лак | +/-45 мм | +/-45 мм |
| Напукнување | <5 мм | <5 мм |
| Вертикална BV | > 1000 V | > 1400 V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Дебела просечно | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Insitu SiN капа | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2СТЕПЕНИ конц. | ~ 1013cm-2 | ~ 1013cm-2 |
| Мобилност | ~ 2000 см2/Vs (<2%) | ~ 2000 см2/Vs (<2%) |
| Рш | <330 оми/кв (<2%) | <330 оми/кв (<2%) |
Детален дијаграм
