6-инчен GaN-на-сафир
150 мм 6 инчи GaN на силикон/сафир/SiC епитаксијална плочка од галиум нитрид
Облогата од сафирна подлога од 6 инчи е висококвалитетен полупроводнички материјал кој се состои од слоеви на галиум нитрид (GaN) одгледан на сафирна подлога. Материјалот има одлични својства на електронски транспорт и е идеален за производство на полупроводнички уреди со висока моќност и висока фреквенција.
Метод на производство: Процесот на производство вклучува одгледување слоеви од GaN на сафирна подлога со користење на напредни техники како што се метално-органско хемиско таложење со пареа (MOCVD) или молекуларна зрачна епитаксија (MBE). Процесот на таложење се изведува под контролирани услови за да се обезбеди висок квалитет на кристалите и униформен филм.
Примени на 6-инчен GaN-on-Sapphire: 6-инчните чипови со супстрат од сафир се широко користени во микробрановите комуникации, радарските системи, безжичната технологија и оптоелектрониката.
Некои вообичаени апликации вклучуваат
1. RF засилувач на моќност
2. Индустрија за LED осветлување
3. Опрема за безжична мрежа за комуникација
4. Електронски уреди во средина со висока температура
5. Оптоелектронски уреди
Спецификации на производот
- Големина: Дијаметарот на подлогата е 6 инчи (околу 150 mm).
- Квалитет на површината: Површината е фино полирана за да се обезбеди одличен квалитет на огледало.
- Дебелина: Дебелината на GaN слојот може да се прилагоди според специфичните барања.
- Пакување: Подлогата е внимателно спакувана со антистатички материјали за да се спречи оштетување за време на транспортот.
- Рабови за позиционирање: Подлогата има специфични рабови за позиционирање кои го олеснуваат усогласувањето и работата за време на подготовката на уредот.
- Други параметри: Специфичните параметри како што се тенкоста, отпорноста и концентрацијата на допинг можат да се прилагодат според барањата на клиентот.
Со нивните супериорни својства на материјалот и разновидните примени, 6-инчните плочки со сафирна подлога се сигурен избор за развој на високо-перформансни полупроводнички уреди во различни индустрии.
| Подлога | 6” 1mm <111> p-тип Si | 6” 1mm <111> p-тип Si |
| Epi ThickAvg | ~5 μm | ~7 μm |
| Епи ДебелаУниф | <2% | <2% |
| Лак | +/-45 μm | +/-45 μm |
| Пукање | <5 мм | <5 мм |
| Вертикална БВ | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Дебела просечна | 20-30nm | 20-30nm |
| Инситу SiN капа | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG концентрација | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Мобилност | ~2000 см2/Vs (<2%) | ~2000 см2/Vs (<2%) |
| Рш | <330 оми/м² (<2%) | <330 оми/м² (<2%) |
Детален дијаграм
