3 инчи Dia 76,2 mm SiC подлоги HPSI Prime Research и Dummy класа

Спроводлива подлога: се однесува на отпорноста на силициум карбидна подлога од 15~30mΩ-cm. Епитаксијалната плочка од силициум карбид добиена од спроводливата силициум карбидна подлога може понатаму да се претвори во енергетски уреди, кои се широко користени во возила за нова енергија, фотоволтаични системи, паметни мрежи и железнички транспорт.

Полуизолациона подлога се однесува на силициум карбидна подлога со отпорност поголема од 100000Ω-cm, главно се користи во производството на микробранови радиофреквенциски уреди со галиум нитрид, што е основа на полето за безжична комуникација.

Тоа е основна компонента во областа на безжичната комуникација.

Спроводливите и полуизолационите подлоги од силициум карбид се користат во широк спектар на електронски уреди и енергетски уреди, вклучувајќи, но не ограничувајќи се на следново:

Полупроводнички уреди со висока моќност (спроводливи): Силициум карбидните подлоги имаат висока јачина на расцепно поле и топлинска спроводливост и се погодни за производство на транзистори и диоди со висока моќност и други уреди.

RF електронски уреди (полуизолирани): Силициум карбидните подлоги имаат висока брзина на префрлување и толеранција на моќност, погодни за апликации како што се RF засилувачи на моќност, микробранови уреди и високофреквентни прекинувачи.

Оптоелектронски уреди (полуизолирани): Силициум карбидните подлоги имаат широк енергетски јаз и висока термичка стабилност, погодни за изработка на фотодиоди, соларни ќелии и ласерски диоди и други уреди.

Сензори за температура (спроводливи): Силициум карбидните подлоги имаат висока топлинска спроводливост и топлинска стабилност, погодни за производство на сензори за висока температура и инструменти за мерење на температура.

Процесот на производство и примена на силициум карбидни спроводливи и полуизолациски подлоги имаат широк спектар на полиња и потенцијали, обезбедувајќи нови можности за развој на електронски уреди и енергетски уреди.