3 инчни Dia76,2mm SiC супстрати HPSI Prime Research и Dummy grade

Проводен супстрат: се однесува на отпорност на супстрат од силициум карбид од 15~30mΩ-cm. Епитаксијалниот нафора со силициум карбид израснат од спроводливата супстрат од силициум карбид може дополнително да се направи во уреди за напојување, кои се широко користени во возила со нова енергија, фотоволтаици, паметни мрежи и железнички транспорт.

Полу-изолациски подлога се однесува на отпорност поголема од 100000Ω-cm силициум карбид супстрат, главно се користи во производството на галиум нитрид микробранова радиофреквенција уреди, е основа на безжична комуникација поле.

Тоа е основна компонента во областа на безжичната комуникација.

Проводни и полуизолациски подлоги од силициум карбид се користат во широк опсег на електронски уреди и уреди за напојување, вклучувајќи, но не ограничувајќи се на следново:

Полупроводнички уреди со висока моќност (проводни): Подлогите од силициум карбид имаат висока јачина на полето на распаѓање и топлинска спроводливост и се погодни за производство на транзистори и диоди со голема моќност и други уреди.

RF електронски уреди (полуизолирани): Подлогите од силикон карбид имаат голема брзина на префрлување и толеранција на моќност, погодни за апликации како што се RF засилувачи, микробранови уреди и прекинувачи со висока фреквенција.

Оптоелектронски уреди (полуизолирани): Подлогите од силициум карбид имаат широк енергетски јаз и висока термичка стабилност, погодни за правење фотодиоди, соларни ќелии и ласерски диоди и други уреди.

Температурни сензори (проводливи): Подлогите од силициум карбид имаат висока топлинска спроводливост и топлинска стабилност, погодни за производство на сензори за висока температура и инструменти за мерење температура.

Процесот на производство и примената на силициум карбид спроводливи и полуизолациски подлоги имаат широк опсег на полиња и потенцијали, обезбедувајќи нови можности за развој на електронски уреди и уреди за напојување.