4H-полу HPSI 2-инчен SiC супстрат нафора Производство Кукла Истражувачко одделение

4H-полу HPSI 2-инчен SiC нафора за подлога Производство на лажна истражувачка оценка Избрана слика

Краток опис:

Нафора со монокристална супстрат од силициум карбид од 2 инчи е материјал со високи перформанси со извонредни физички и хемиски својства.Изработен е од еднокристален материјал со силициум карбид со висока чистота со одлична топлинска спроводливост, механичка стабилност и отпорност на високи температури.Благодарение на неговиот процес на подготовка со висока прецизност и висококвалитетните материјали, овој чип е еден од преферираните материјали за подготовка на електронски уреди со високи перформанси во многу области.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Полуизолациски силициум карбид супстрат SiC обланди

Подлогата од силициум карбид е главно поделена на проводен и полуизолациски тип, проводен супстрат од силициум карбид до супстрат од типот n главно се користи за епитаксијални LED базирани на GaN и други оптоелектронски уреди, електронски уреди за напојување базирани на SiC итн., и полу- изолационата супстрат од силициум карбид SiC главно се користи за епитаксијално производство на уреди со радиофреквенција со висока моќност GaN.Покрај тоа, висока чистота полу-изолација HPSI и SI полу-изолација е различна, висока чистота полу-изолација носач концентрација од 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 опсег, со висока мобилност на електрони;Полу-изолација е висока отпорност материјали, отпорност е многу висока, генерално се користи за микробранова уред супстрати, не-проводен.

Полуизолациски подлога од силициум карбид нафора SiC

SiC кристалната структура ја одредува нејзината физичка, во однос на Si и GaAs, SiC има за физичките својства;Ширината на забранетата лента е голема, близу 3 пати поголема од онаа на Si, за да се осигура дека уредот работи на високи температури со долгорочна доверливост;дефект поле сила е висока, е 1O пати поголема од Si, да се осигура дека уредот напон капацитет, подобрување на уредот напон вредност;стапката на заситеност на електрони е голема, е 2 пати поголема од Si, за да се зголеми фреквенцијата и густината на моќноста на уредот;топлинската спроводливост е висока, повеќе од Si, топлинската спроводливост е висока, топлинската спроводливост е висока, топлинската спроводливост е висока, топлинската спроводливост е висока, повеќе од Si, топлинската спроводливост е висока, топлинската спроводливост е висока.Висока топлинска спроводливост, повеќе од 3 пати поголема од Si, зголемување на капацитетот за дисипација на топлина на уредот и остварување на минијатуризација на уредот.