50,8 мм 2 инчен GaN на сафир Epi-слој нафора
Примена на галиум нитрид GaN епитаксијален лист
Врз основа на перформансите на галиум нитрид, епитаксијалните чипови на галиум нитрид се главно погодни за апликации со висока моќност, висока фреквенција и низок напон.
Тоа се рефлектира во:
1) Висок опсег: Високиот пропусен опсег го подобрува нивото на напон на уредите со галиум нитрид и може да произведе поголема моќност од уредите со галиум арсенид, што е особено погодно за базни станици за комуникација 5G, воени радари и други полиња;
2) Висока ефикасност на конверзија: отпорот на вклучување на електронските уреди за префрлување на моќност на галиум нитрид е 3 реда пониска од онаа на силиконските уреди, што може значително да ја намали загубата при вклучување;
3) Висока топлинска спроводливост: високата топлинска спроводливост на галиум нитрид го прави да има одлични перформанси за дисипација на топлина, погодни за производство на уреди со висока моќност, висока температура и други полиња;
4) Јачина на електричното поле на распаѓање: иако јачината на електричното поле на распаѓање на галиум нитридот е блиска до онаа на силициум нитрид, поради полупроводнички процес, несовпаѓање на материјалната решетка и други фактори, толеранцијата на напон на уредите со галиум нитрид е обично околу 1000 V, а напонот за безбедно користење обично е под 650V.
| Ставка | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Димензии | e 50,8mm ± 0,1mm | ||
| Дебелина | 4,5±0,5 мм | 4,5±0,5ум | |
| Ориентација | C-рамнина(0001) ±0,5° | ||
| Тип на спроводливост | N-тип (недопрен) | N-тип (Si-допиран) | P-тип (Mg-допиран) |
| Отпорност (3O0K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Концентрација на носач | < 5x1017цм-3 | > 1x1018цм-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Мобилност | ~ 300 см2/Vs | ~ 200 см2/Vs | ~ 10 см2/Vs |
| Густина на дислокација | Помалку од 5x108цм-2(пресметано од FWHM на XRD) | ||
| Структура на подлогата | GaN на Sapphire (Стандард: SSP Опција: DSP) | ||
| Корисна површина | > 90% | ||
| Пакет | Спакувано во чиста соба од класа 100, во касети од 25 парчиња или единечни контејнери за нафора, под азотна атмосфера. | ||
* Другата дебелина може да се прилагоди
Детален дијаграм
