4H-N/6H-N SiC нафора Истражувачко производство на лажна класа Dia150mm Подлога од силициум карбид

4H-N/6H-N SiC Истражување на нафора за производство на лажна класа Dia150mm Подлога од силициум карбид Избрана слика

Краток опис:

Можеме да обезбедиме високотемпературна супстрат од тенок филм, магнетни тенки филмови и фероелектричен тенок филм супстрат, полупроводнички кристал, оптички кристал, ласерски кристални материјали, во исто време да обезбедиме ориентација, сечење кристали, мелење, полирање и други услуги за обработка.Нашите SiC супстрати доаѓаат од фабриката Tankeblue во Кина.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Спецификација на супстрат од силициум карбид (SiC) со дијаметар од 6 инчи

Одделение	Нула MPD	Производство	Истражување одделение	Лажна оценка
Дијаметар	150,0mm±0,25mm
Дебелина	4H-N	350um±25um
	4H-SI	500um±25um
Ориентација на нафора	На оската:<0001>±0,5° за 4H-SI Исклучена оска: 4,0°кон<1120>±0,5° за 4H-N
Примарен стан	{10-10}±5,0°
Примарна рамна должина	47,5mm±2,5mm
Исклучување на рабовите	3 мм
TTV/Bow/Warp	≤15um/≤40um/≤60um
Густина на микроцевки	≤1cm-2	≤5cm-2	≤15cm-2	≤50cm-2
Отпорност 4H-N 4H-SI	0,015~0,028Ω!cm
	≥1E5Ω!cm
Грубоста	Полски Ra ≤1nm CMP Ra≤0,5nm
#Пукнатини од светлина со висок интензитет	Никој		1 дозволено, ≤2 мм	Кумулативна должина ≤10mm, единечна должина≤2mm
*Хекс-плочи со светлина со висок интензитет	Кумулативна површина ≤1%		Кумулативна површина ≤ 2%	Кумулативна површина ≤ 5%
*Политип области со светлина со висок интензитет	Никој		Кумулативна површина ≤ 2%	Кумулативна површина ≤ 5%
*&Гребање со светло со висок интензитет	3 гребнатинки до кумулативна должина со дијаметар од 1 x нафора		5 гребнатини до кумулативна должина со дијаметар од 1 x нафора	5 гребнатинки до кумулативна должина со дијаметар од 1 x нафора
Ивица чип	Никој		Дозволени 3, ≤ 0,5 mm секој	Дозволени 5, ≤ 1mm секој
Контаминација со светлина со висок интензитет	Никој

Продажба и услуги на клиентите

Набавка на материјали

Одделот за набавка на материјали е одговорен да ги собере сите суровини потребни за производство на вашиот производ.Целосна следливост на сите производи и материјали, вклучувајќи хемиска и физичка анализа е секогаш достапна.

Квалитет

За време и по производството или обработката на вашите производи, одделот за контрола на квалитетот е вклучен во обезбедувањето дека сите материјали и толеранции ги исполнуваат или надминуваат вашите спецификација.

Сервис

Се гордееме што имаме продажен инженерски кадар со над 5 години искуство во индустријата за полупроводници.Тие се обучени да одговараат на технички прашања, како и да даваат навремени понуди за вашите потреби.

ние сме покрај вас во секое време кога имате проблем и го решаваме за 10 часа.