Sic оптичка леќа 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Прилагодена големина

1. Висок индекс на прекршување и широк прозорец на пренос: SiC оптичките леќи покажуваат исклучителни оптички перформанси со индекс на прекршување од приближно 2,6-2,7 низ нивниот оперативен спектар. Овој широк прозорец на пренос (600-1850 nm) ги опфаќа и видливите и блиските инфрацрвени региони, што ги прави особено вредни за мултиспектрални системи за снимање и широкопојасни оптички апликации. Нискиот коефициент на апсорпција на материјалот во овие опсези обезбедува минимално слабеење на сигналот, дури и во апликации со ласер со голема моќност.

2. Исклучителни нелинеарни оптички својства: Уникатната кристална структура на силициум карбидот му дава извонредни нелинеарни оптички коефициенти (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), овозможувајќи ефикасни процеси на конверзија на фреквенција. Овие својства активно се користат во најсовремени апликации како што се оптички параметарски осцилатори, ултрабрзи ласерски системи и уреди за обработка на целосно оптички сигнали. Високиот праг на оштетување на материјалот (>5 GW/cm2) дополнително ја подобрува неговата соодветност за апликации со висок интензитет.

3. Механичка и термичка стабилност: Со модул на еластичност што се приближува до 400 GPa и топлинска спроводливост што надминува 300 W/m·K, оптичките компоненти од SiC одржуваат исклучителна стабилност под механички стрес и термички циклуси. Ултра нискиот коефициент на термичка експанзија (4,0×10-6/K) обезбедува минимално фокусно поместување со температурни варијации, што е клучна предност за прецизни оптички системи што работат во флуктуирачки термички средини како што се вселенски апликации или индустриска опрема за ласерска обработка.

4. Квантни својства: Центрите за боја на силициумска ваканција (VSi) и диваканција (VSiVC) во политиповите 4H-SiC и 6H-SiC покажуваат оптички адресирани спин состојби со долги времиња на кохерентност на собна температура. Овие квантни емитери се интегрираат во скалабилни квантни мрежи и се особено ветувачки за развој на квантни сензори на собна температура и квантни мемориски уреди во архитектури на фотонско квантно пресметување.

5. CMOS компатибилност: Компатибилноста на SiC со стандардните процеси на производство на полупроводници овозможува директна монолитна интеграција со силиконски фотонски платформи. Ова овозможува создавање на хибридни фотонско-електронски системи што ги комбинираат оптичките предности на SiC со електронската функционалност на силициумот, отворајќи нови можности за дизајни на системи-на-чип во оптичките компјутери и апликациите за сензори.