SiC обландите се полупроводници направени од силициум карбид. Овој материјал е развиен во 1893 година и е идеален за различни апликации. Посебно погоден за Шотки диоди, Шотки диоди со препреки, прекинувачи и транзистори со ефект на поле со метал-оксид-полупроводник. Поради неговата висока цврстина, тој е одличен избор за моќни електронски компоненти.
Во моментов, постојат два главни типа на наполитанки SiC. Првиот е полиран нафора, кој е единечен силициум карбид. Изработен е од SiC кристали со висока чистота и може да има дијаметар од 100 mm или 150 mm. Се користи во електронски уреди со висока моќност. Вториот тип е епитаксијален кристален силикон карбид нафора. Овој тип на нафора се прави со додавање на еден слој кристали од силициум карбид на површината. Овој метод бара прецизна контрола на дебелината на материјалот и е познат како N-тип на епитаксија.
Следниот тип е бета силициум карбид. Beta SiC се произведува на температури над 1700 степени Целзиусови. Алфа карбидите се најчести и имаат хексагонална кристална структура слична на вурцитот. Бета формата е слична на дијамантот и се користи во некои апликации. Отсекогаш бил првиот избор за полупроизводи со моќност на електрични возила. Неколку трети лица добавувачи на нафора со силициум карбид моментално работат на овој нов материјал.
Наполитанките ZMSH SiC се многу популарни полупроводнички материјали. Тоа е висококвалитетен полупроводнички материјал кој е добро прилагоден за многу апликации. Наполитанките од силициум карбид ZMSH се многу корисен материјал за различни електронски уреди. ZMSH обезбедува широк спектар на висококвалитетни наполитанки и подлоги SiC. Достапни се во N-тип и во полуизолирани форми.
2---Силициум карбид: Кон нова ера на наполитанки
Физички својства и карактеристики на силициум карбид
Силициум карбид има специјална кристална структура, користејќи хексагонална блиско спакувана структура слична на дијамантот. Оваа структура му овозможува на силициум карбидот да има одлична топлинска спроводливост и отпорност на високи температури. Во споредба со традиционалните силиконски материјали, силициум карбидот има поголема ширина на јазот на лентата, што обезбедува поголемо растојание на електронската лента, што резултира со поголема мобилност на електроните и помала струја на истекување. Покрај тоа, силициум карбидот, исто така, има поголема брзина на движење на заситеноста на електроните и помала отпорност на самиот материјал, што обезбедува подобри перформанси за апликации со висока моќност.
Случаи за примена и изгледи на наполитанки од силициум карбид
Апликации за енергетска електроника
Нафора со силициум карбид има широка перспектива за примена во полето на енергетската електроника. Поради нивната висока подвижност на електроните и одличната топлинска спроводливост, SIC наполитанките може да се користат за производство на преклопни уреди со висока густина, како што се модули за напојување за електрични возила и соларни инвертери. Високотемпературната стабилност на наполитанките од силициум карбид им овозможува на овие уреди да работат во средини со висока температура, обезбедувајќи поголема ефикасност и доверливост.
Оптоелектронски апликации
Во областа на оптоелектронските уреди, силициум карбидните наполитанки ги покажуваат своите уникатни предности. Материјалот од силициум карбид има карактеристики на јазот со широк опсег, што му овозможува да постигне висока фотононска енергија и слаба загуба на светлина кај оптоелектронските уреди. Наполитанките од силициум карбид може да се користат за подготовка на уреди за комуникација со голема брзина, фотодетектори и ласери. Неговата одлична топлинска спроводливост и малата густина на дефекти на кристалите го прават идеален за подготовка на висококвалитетни оптоелектронски уреди.
Outlook
Со зголемената побарувачка за електронски уреди со високи перформанси, наполитанките од силициум карбид имаат ветувачка иднина како материјал со одлични својства и широк потенцијал за примена. Со континуирано подобрување на технологијата за подготовка и намалување на трошоците, ќе се промовира комерцијалната примена на наполитанките од силициум карбид. Се очекува дека во следните неколку години, силициум карбид наполитанки постепено ќе влезат на пазарот и ќе станат главен избор за апликации со висока моќност, висока фреквенција и висока температура.
3---Длабока анализа на пазарот на нафора SiC и технолошките трендови
Длабинска анализа на двигателите на пазарот на нафора со силициум карбид (SiC).
Растот на пазарот на нафора со силициум карбид (SiC) е под влијание на неколку клучни фактори, а длабинската анализа на влијанието на овие фактори на пазарот е критична. Еве некои од клучните двигатели на пазарот:
Заштеда на енергија и заштита на животната средина: карактеристиките на високите перформанси и ниската потрошувачка на енергија на материјалите од силициум карбид го прават популарен во полето на заштеда на енергија и заштита на животната средина. Побарувачката за електрични возила, соларни инвертери и други уреди за конверзија на енергија го поттикнува растот на пазарот на наполитанките од силициум карбид бидејќи помага да се намали отпадот на енергија.
Апликации за енергетска електроника: Силиконскиот карбид се истакнува во апликациите за енергетска електроника и може да се користи во енергетската електроника под средини со висок притисок и висока температура. Со популаризацијата на обновливите извори на енергија и промовирањето на транзицијата на електрична енергија, побарувачката за наполитанки од силициум карбид на пазарот за енергетска електроника продолжува да се зголемува.
SiC обланди идни производствени технологии за развој на тренд детална анализа
Масовно производство и намалување на трошоците: идното производство на нафора од SiC ќе се фокусира повеќе на масовно производство и намалување на трошоците. Ова вклучува подобрени техники за раст како што се хемиско таложење на пареа (CVD) и физичко таложење на пареа (PVD) за да се зголеми продуктивноста и да се намалат трошоците за производство. Дополнително, се очекува усвојувањето на интелигентни и автоматизирани производствени процеси дополнително да ја подобри ефикасноста.
Нова големина и структура на нафора: Големината и структурата на наполитанките SiC може да се променат во иднина за да се задоволат потребите на различни апликации. Ова може да вклучува наполитанки со поголем дијаметар, хетерогени структури или повеќеслојни наполитанки за да се обезбеди поголема флексибилност на дизајнот и опции за изведба.
Енергетска ефикасност и зелено производство: Производството на наполитанки SiC во иднина ќе стави поголем акцент на енергетската ефикасност и зеленото производство. Фабриките напојувани од обновливи извори на енергија, зелени материјали, рециклирање отпад и процеси на производство со ниска содржина на јаглерод ќе станат трендови во производството.
Време на објавување: Јан-19-2024 година