HPSI SiC плочка ≥90% оптички степен на пропустливост за AI/AR очила

HPSI SiC плочка ≥90% пропустливост на оптички степен за AI/AR очила Препорачана слика

Краток опис:

Параметар	Одделение	Подлога од 4 инчи	Подлога од 6 инчи
Дијаметар	Z степен / D степен	99,5 мм – 100,0 мм	149,5 мм – 150,0 мм
Поли-тип	Z степен / D степен	4H	4H
Дебелина	Z одделение	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Дебелина	Д одделение	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Ориентација на вафли	Z степен / D степен	На оската: <0001> ± 0,5°	На оската: <0001> ± 0,5°
Густина на микроцевката	Z одделение	≤ 1 см²	≤ 1 см²
Густина на микроцевката	Д одделение	≤ 15 см²	≤ 15 см²
Отпорност	Z одделение	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Отпорност	Д одделение	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Испратете ни е-пошта

Карактеристики

Основен вовед: Улогата на HPSI SiC плочките во очилата со вештачка интелигенција/AR

HPSI (High-Purity Polu-Insulating) силициум карбидните плочки се специјализирани плочки кои се карактеризираат со висок отпор (>10⁹ Ω·cm) и екстремно ниска густина на дефекти. Кај AI/AR стаклата, тие првенствено служат како основен материјал за подлога за дифрактивни оптички брановодни леќи, решавајќи ги тесните грла поврзани со традиционалните оптички материјали во однос на тенки и лесни форми, дисипација на топлина и оптички перформанси. На пример, AR стаклата што користат SiC брановодни леќи можат да постигнат ултрашироко видно поле (FOV) од 70°–80°, додека ја намалуваат дебелината на еден слој на леќата на само 0,55 mm и тежината на само 2,7 g, значително подобрувајќи ја удобноста при носење и визуелното потопување.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Клучни карактеристики: Како материјалот SiC го зајакнува дизајнот на очила со вештачка интелигенција/AR

Висок индекс на прекршување и оптимизација на оптичките перформанси

Индексот на прекршување на SiC (2,6–2,7) е речиси 50% повисок од оној на традиционалното стакло (1,8–2,0). Ова овозможува потенки и поефикасни структури на брановоди, значително проширувајќи го FOV. Високиот индекс на прекршување, исто така, помага да се потисне „ефектот на виножито“ вообичаен кај дифрактивните брановоди, подобрувајќи ја чистотата на сликата.

Исклучителна можност за термичко управување

Со топлинска спроводливост висока до 490 W/m·K (блиску до онаа на бакарот), SiC може брзо да ја распрсне топлината генерирана од микро-LED модулите за дисплеј. Ова спречува влошување на перформансите или стареење на уредот поради високи температури, обезбедувајќи долг век на траење на батеријата и висока стабилност.

Механичка цврстина и издржливост

SiC има Мосова тврдост од 9,5 (втора по големина веднаш по дијамантот), што нуди исклучителна отпорност на гребење, што го прави идеален за често користени потрошувачки стакла. Неговата површинска грубост може да се контролира на Ra < 0,5 nm, обезбедувајќи ниски загуби и високо рамномерна трансмисија на светлина во брановодите.

Компатибилност на електрични својства

Отпорноста на HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) помага да се спречат пречки во сигналот. Исто така, може да послужи како ефикасен материјал за енергетски уреди, оптимизирајќи ги модулите за управување со енергијата во AR очилата.

Примарни упатства за апликација

Основни оптички компоненти за AI/AR очилас

Дифрактивни брановодни леќи: SiC подлоги се користат за создавање ултратенки оптички брановоди кои поддржуваат голем FOV и елиминирање на ефектот на виножитото.
Прозорски плочи и призми: Преку прилагодено сечење и полирање, SiC може да се преработи во заштитни прозорци или оптички призми за AR очила, подобрувајќи ја пропустливоста на светлината и отпорноста на абење.

Проширени апликации во други области

Електроника за енергија: Се користи во сценарија со висока фреквенција и висока моќност, како што се инвертори за нови енергетски возила и контроли на индустриски мотори.
Квантна оптика: Делува како домаќин за центри за бои, што се користи во подлоги за квантна комуникација и уреди за мерење.

Споредба на спецификациите на HPSI SiC подлогата од 4 инчи и 6 инчи

Параметар	Одделение	Подлога од 4 инчи	Подлога од 6 инчи
Дијаметар	Z степен / D степен	99,5 мм - 100,0 мм	149,5 мм - 150,0 мм
Поли-тип	Z степен / D степен	4H	4H
Дебелина	Z одделение	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Дебелина	Д одделение	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Ориентација на вафли	Z степен / D степен	На оската: <0001> ± 0,5°	На оската: <0001> ± 0,5°
Густина на микроцевката	Z одделение	≤ 1 см²	≤ 1 см²
Густина на микроцевката	Д одделение	≤ 15 см²	≤ 15 см²
Отпорност	Z одделение	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Отпорност	Д одделение	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Примарна рамна ориентација	Z степен / D степен	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
Примарна рамна должина	Z степен / D степен	32,5 мм ± 2,0 мм	Засек
Должина на секундарната рамна плоча	Z степен / D степен	18,0 мм ± 2,0 мм	-
Исклучување на работ	Z степен / D степен	3 мм	3 мм
LTV / TTV / Лак / Искривување	Z одделение	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Лак / Искривување	Д одделение	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Рабулост	Z одделение	Полски Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Полски Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
Рабулост	Д одделение	Полски Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Полски Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Пукнатини на рабовите	Д одделение	Кумулативна површина ≤ 0,1%	Кумулативна должина ≤ 20 mm, единечна ≤ 2 mm
Политипски области	Д одделение	Кумулативна површина ≤ 0,3%	Кумулативна површина ≤ 3%
Визуелни јаглеродни инклузии	Z одделение	Кумулативна површина ≤ 0,05%	Кумулативна површина ≤ 0,05%
Визуелни јаглеродни инклузии	Д одделение	Кумулативна површина ≤ 0,3%	Кумулативна површина ≤ 3%
Гребнатини на силиконска површина	Д одделение	Дозволени се 5, секое ≤1mm	Кумулативна должина ≤ 1 x дијаметар
Изрезни рабови	Z одделение	Не е дозволено (ширина и длабочина ≥0,2 мм)	Не е дозволено (ширина и длабочина ≥0,2 мм)
Изрезни рабови	Д одделение	Дозволени се 7, секое ≤1mm	Дозволени се 7, секое ≤1mm
Дислокација на завртката за навојување	Z одделение	-	≤ 500 см²
Пакување	Z степен / D степен	Касета со повеќе плочки или контејнер со еден плочки	Касета со повеќе плочки или контејнер со еден плочки

XKH услуги: Интегрирано производство и можности за прилагодување

Компанијата XKH поседува можности за вертикална интеграција од суровини до готови плочки, покривајќи го целиот синџир на раст на SiC подлогата, сечење, полирање и обработка по мерка. Клучните предности на услугата вклучуваат:

Разновидност на материјали:Можеме да обезбедиме различни видови на плочки како што се тип 4H-N, тип 4H-HPSI, тип 4H/6H-P и тип 3C-N. Отпорноста, дебелината и ориентацијата може да се прилагодат според барањата.
Флексибилно прилагодување на големината:Поддржуваме обработка на плочки со дијаметар од 2 до 12 инчи, а можеме да обработуваме и специјални структури како квадратни парчиња (на пр., 5x5 mm, 10x10 mm) и неправилни призми.
Прецизна контрола од оптички квалитетВаријацијата на вкупната дебелина на плочката (TTV) може да се одржува на <1μm, а грубоста на површината на Ra < 0,3 nm, исполнувајќи ги барањата за рамност на нанониво за уредите со брановоди.
Брз одговор на пазарот:Интегрираниот бизнис модел обезбедува ефикасен премин од истражување и развој кон масовно производство, поддржувајќи сè, од верификација на мали серии до испораки со голем обем (време на испорака обично 15-40 дена).

Најчесто поставувани прашања за HPSI SiC плочката

П1: Зошто HPSI SiC се смета за идеален материјал за AR брановодни леќи?
A1: Неговиот висок индекс на прекршување (2,6–2,7) овозможува потенки, поефикасни структури на брановоди кои поддржуваат поголемо видно поле (на пр., 70°–80°), а воедно го елиминираат „ефектот на виножито“.
П2: Како HPSI SiC го подобрува термичкото управување кај очилата со вештачка интелигенција/AR?
A2: Со коефициент на топлинска спроводливост до 490 W/m·K (блиску до бакар), ефикасно ја дисипира топлината од компоненти како што се микро-LED диодите, обезбедувајќи стабилни перформанси и подолг век на траење на уредот.
П3: Какви предности за издржливост нуди HPSI SiC за носечки очила?
A3: Неговата исклучителна тврдост (Mohs 9,5) обезбедува супериорна отпорност на гребење, што го прави многу издржлив за секојдневна употреба во AR очила за широка потрошувачка.