8 инчен SiC Производно одделение нафора 4H-N SiC супстрат

8 инчен SiC Производство нафора 4H-N SiC подлога Избрана слика

Краток опис:

8-инчни SiC подлоги се користат во електронски уреди со висока моќност, како што се моќни MOSFET-ови (Транзистори со полупроводнички ефект на поле од метал оксид), Шотки диоди и други енергетски полупроводнички уреди.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Следната табела ги прикажува спецификациите на нашите 8-инчни SiC наполитанки:

8-инчни N-тип SiC DSP спецификации
Број	Ставка	Единица	Производство	Истражување	Кукла
1: параметри
1.1	политип	--	4H	4H	4H
1.2	ориентација на површината	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Електричен параметар
2.1	допант	--	Азот од n-тип	Азот од n-тип	Азот од n-тип
2.2	отпорност	ом · см	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3: Механички параметар
3.1	дијаметар	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	дебелина	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Ориентација со изрез	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Длабочина на изрез	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	ЛТВ	μm	≤5 (10мм*10мм)	≤5 (10мм*10мм)	≤10 (10мм*10мм)
3.6	ТТВ	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Лак	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Искривување	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	АФМ	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Структура
4.1	густина на микроцевки	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	содржина на метал	атоми/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	ТСД	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	БПД	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	ТЕД	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Квалитет на предниот дел
5.1	напред	--	Si	Si	Si
5.2	финиш на површината	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	честичка	еа/нафора	≤100 (големина≥0,3μm)	NA	NA
5.4	гребење	еа/нафора	≤5, Вкупна должина≤200мм	NA	NA
5.5	Работ чипови/вдлабнатини/пукнатини/дамки/контаминација	--	Никој	Никој	NA
5.6	Политипски области	--	Никој	Површина ≤10%	Површина ≤30%
5.7	предно обележување	--	Никој	Никој	Никој
6: Квалитет на грбот
6.1	задна завршница	--	Ц-лице пратеник	Ц-лице пратеник	Ц-лице пратеник
6.2	гребење	mm	NA	NA	NA
6.3	Назад дефекти работ чипови/вдлабнатини	--	Никој	Никој	NA
6.4	Грубоста на грбот	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Обележување на грбот	--	Засек	Засек	Засек
7: раб
7.1	раб	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8: Пакет
8.1	пакување	--	Епи-подготвен со вакуум пакување	Епи-подготвен со вакуум пакување	Епи-подготвен со вакуум пакување
8.2	пакување	--	Мулти-нафора пакување со касети	Мулти-нафора пакување со касети	Мулти-нафора пакување со касети